证券时报记者 卢晓利 高志鹏

　　本报讯 9月20日，三安光电（600703）在深圳发布了GaN基发光二极管大功率芯片等四款新产品，四款新产品在技术方面均达到国内第一、国际先进水平。

　　据悉，三安光电此次推出的四款新产品分别是：GaN基发光二极管大功率芯片、GaN基发光二极管超高亮（白光）芯片（适合于使用在路灯和电视背光源）、GaAs超高亮发光二极管红光芯片、GaAs超高亮发光二极管黄绿芯片。

　　其中，GaN基发光二极管大功率芯片封装成白灯单灯可达120lm，效率为100lm/W以上，高于国家路灯80lm/W的要求，并通过了相关的路灯实验，三安光电是国内唯一一家拥有自主知识产权、从外延到芯片可批量生产的企业；GaN基发光二极管超亮（白光）芯片封装成白灯功率可达到110lm/W，可用于TV、笔记本电脑等显示器背光源、半导体照明等高端领域；GaAs超高亮发光二极管红光芯片封装后光功率可达到60lm/W，可用于户外显示屏、汽车尾灯、照明等领域；GaAs超高亮发光二极管黄绿芯片的裸晶在80mcd左右，可用于双色显示屏，LCD背光源等领域。

　　据三安科技公司总经理孙明介绍，上述产品支援了国内LED行业的发展和产业链条的有效形成，为国内下游企业渡过金融危机提供了技术、产品和成本保证，有效地促进了国内LED行业的发展。

　　孙明介绍说，三安光电是目前国内规模最大、品质最好的全色系超高亮度发光二极管外延及芯片产业化生产基地，公司承担了多项国家“863”重大课题，拥有国家级博士后科研工作站及国家级企业技术中心，多项技术填补了国内空白。公司主要产品性能指标居国际先进水平，已实现年产LED外延片55万片、芯片160亿粒的产能。其中LED产品占国内总产能的58%。公司生产的多结化合物太阳电池，广泛应用于空间领域。2010年公司一期扩产后，将达到年产LED外延片150万片、芯片350亿粒的产能规模，2012年底前完成100台MOCVD的扩产计划，实现全球行业排名前五名的目标。此外，公司的地面发电应用目前已取得重大突破，正着手筹建高倍聚光太阳能光伏生产基地。