证券代码：００００２１ 证券简称：长城开发 公告编码：２０１０－０４４
深圳长城开发科技股份有限公司
第六届董事会第七次会议决议公告
本公司及董事会全体成员保证公告内容的真实、准确和完整，没有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏。
深圳长城开发科技股份有限公司第六届董事会第七次会议于２０１０年９月２９日以现场和通讯方式召开，该次会议通知已于２０１０年９月２８日以电子邮件方式发至全体董事、监事及相关与会人员，应参与表决董事９名，实际参与表决董事９名，公司监事、高级管理人员列席了会议，会议由董事长谭文鋕先生主持。本次会议的召开符合《公司法》和《公司章程》的有关规定。
会议审议并通过了《关于合资建设ＬＥＤ产业化项目的议案》（详见同日公告２０１０－０４５）。
审议结果：表决票９票，其中同意９票，反对０票，弃权０票，表决通过。
公司独立董事发表独立意见认为：公司拟投资的ＬＥＤ产业项目，具有巨大的市场规模和广阔的市场前景，符合国家加快培育和发展战略性新兴产业发展的政策，符合集团未来发展战略的要求，没有损害中小股东的利益。
特此公告！
深圳长城开发科技股份有限公司
董事会
二○一○年十月八日
证券代码：００００２１ 证券简称：长城开发 公告编码：２０１０－０４５
深圳长城开发科技股份有限公司关于
合资建设ＬＥＤ产业化项目的提示性公告
本公司及董事会全体成员保证公告内容的真实、准确和完整，没有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏。
释义：
在本文中，除非另有说明，下列词语具有以下含义：
“长城开发”或本公司：指深圳长城开发科技股份有限公司
“Ｅｐｉｓｔａｒ” ：指Ｅｐｉｓｔａｒ ＪＶ Ｈｏｌｄｉｎｇ （ＢＶＩ） Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
“亿冠晶” ：指亿冠晶（福建）光电有限公司
“Ｃｏｕｎｔｒｙ Ｌｉｇｈｔｉｎｇ”：指Ｃｏｕｎｔｒｙ Ｌｉｇｈｔｉｎｇ （ＢＶＩ） Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
为促进我国新能源产业的转型发展，改变我国在高亮度半导体固态光源芯片技术方面相对落后的局面，实现集团核心技术向高端转变，主营业务向产业链中上游转变的战略目标，全面提升产业核心竞争力，公司拟与Ｅｐｉｓｔａｒ、亿冠晶、Ｃｏｕｎｔｒｙ Ｌｉｇｈｔｉｎｇ在中国境内合作投资建设ＬＥＤ芯片外延片及ＬＥＤ光模组等产业化项目。
一、对外投资概述
２０１０年９月２９日，经公司第六届董事会第七次会议审议，同意本公司与Ｅｐｉｓｔａｒ、亿冠晶、Ｃｏｕｎｔｒｙ Ｌｉｇｈｔｉｎｇ在中国境内设立合资公司，以共同投资建设ＬＥＤ产业化项目，从事高亮度ＬＥＤ外延片、芯片、ＬＥＤ光源模块、灯源及灯具的研发、生产和销售。
公司董事会授权经营班子对合资项目投资地点再行确定。
本次对外投资尚需提请本公司股东大会审议及其他投资方履行相应审批程序，并需经中国政府审批部门批准。
本次交易不构成关联交易，不构成《上市公司重大资产重组管理办法》规定的重大资产重组。
二、合作方介绍
１、 Ｅｐｉｓｔａｒ ＪＶ Ｈｏｌｄｉｎｇ （ＢＶＩ） Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
（１）注册地址：Ｂｒｉｔｉｓｈ Ｖｉｒｇｉｎ Ｉｓｌａｎｄｓ
（２）企业类型：有限公司
（３）法定代表人：ＬＥＥ，ＢＩＩＮＧ－ＪＹＥ
（４）额定资本：ＵＳＤ２００，０００，０００
（５）成立时间：２０１０年１月２１日
（６）主营业务：投资
（７）股东情况：Ｅｐｉｓｔａｒ为晶元光电股份有限公司１００％所持有，晶元光电为全球最大的ＬＥＤ上游制造厂，在台湾上市。
２、 亿冠晶（福建）光电有限公司
（１）注册地址：福建省福清市融侨经济技术开发区
（２）企业类型：有限公司
（３）法定代表人：刘邦言
（４）注册资本：２，５００万美元
（５）成立时间：２０１０年６月
（６）主营业务：生产ＬＥＤ相关光学零组件
（７）股东情况：亿冠晶目前由亿光电子工业股份有限公司１００％间接持有，亿光为台湾最大的封装厂，在台湾上市。
３、 Ｃｏｕｎｔｒｙ Ｌｉｇｈｔｉｎｇ （ＢＶＩ） Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
（１）注册地址：Ｂｒｉｔｉｓｈ Ｖｉｒｇｉｎ Ｉｓｌａｎｄｓ
（２）企业类型：有限公司
（３）法定代表人：Ｙｕ， Ｙｕｎｇ－Ｓｈｅｎｇ
（４）额定资本：ＵＳＤ８０，０００，０００
（５）主营业务：投资
（６）股东情况：Ｃｏｕｎｔｒｙ Ｌｉｇｈｔｉｎｇ为个人股东１００％所持有。
三、合资公司基本情况
１、 投资规模：合资公司投资总额为１６，０００万美元，注册资本为１２，０００万美元，投资总额与注册资本的差额由合资公司通过银行借款等方式解决。
２、 出资方式：投资各方全部以现金出资，本公司现金出资全部来自自有资金。
３、 出资及持股情况：
| 投资方 | 出资方式 | 出资金额（万美元） | 持股比例（％） |
| 第一期 | 第二期 | 出资总额 |
| 深圳长城开发科技股份有限公司 | 现金 | ３，５２０ | １，７６０ | ５，２８０ | ４４％ |
| Ｅｐｉｓｔａｒ ＪＶ Ｈｏｌｄｉｎｇ （ＢＶＩ） Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 现金 | ３，２００ | １，６００ | ４，８００ | ４０％ |
| 亿冠晶（福建）光电有限公司 | 现金 | ７２０ | ３６０ | １，０８０ | ９％ |
| Ｃｏｕｎｔｒｙ Ｌｉｇｈｔｉｎｇ （ＢＶＩ） Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 现金 | ５６０ | ２８０ | ８４０ | ７％ |
| 合计 | | ８，０００ | ４，０００ | １２，０００ | １００％ |
说明：第二期出资时间及金额，由合资公司董事会另行决定。
４、 经营范围：研发、制造、销售ＬＥＤ外延片、芯片、ＬＥＤ光源模块、ＬＥＤ灯源和ＬＥＤ灯具，并提供相关售后服务。
四、ＬＥＤ项目基本情况
本次ＬＥＤ芯片项目投资总额１６，０００万美元，本项目投产后，可形成年产高亮度ＧａＮ蓝光外延片７２万片，背光芯片４６亿颗，照明芯片３．９亿颗的生产规模。
本项目选址在中国境内，项目的建设内容包括购买生产设备、厂房建设、机电装修、有关动力设施以及环境保护、消防、节能和职业安全卫生等方面的建设费用。
五、投资项目的可行性和必要性
１、 符合国家加快培育和发展战略性新兴产业发展的政策
在国家推动产业结构优化升级、培育新的产业增长点这一战略任务的指导下， “高效节能、长寿命的半导体照明（ＬＥＤ）产品”被列入《国家中长期科学与技术发展纲要（２００６－２０２０年）》中，成为国家“十一五”８６３第一个启动的重大项目。在国家发改委、科技部、商务部、国家知识产权局联合发布的《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南（２００７ 年度）》中，也明确将“高亮度外延片”、“高效节能、长寿命的半导体照明材料与产品及其制备技术与设备”列为当前优先发展的高技术产业化重点领域。同时，国家发改委、财政部也在２００７年１２月联合发布了《高效照明产品推广财政补贴资金管理暂行办法》。
国家一系列政策的出台表明国家对发展我国高效节能、长寿命的半导体照明（ＬＥＤ）产业的积极态度，显示出ＬＥＤ产业在国家电子工业发展中的战略地位。
２、 ＬＥＤ项目具有巨大的市场规模
在ＬＥＤ技术发展日新月异，性能成倍提升，成本不断下降的推动下，无论国际还是国内，市场规模都在不断扩大，成为未来产业成长的新亮点，而作为第四代照明产品ＬＥＤ集合了高效、节能、低碳等技术优势，具有广阔的市场前景。
近十年来，全球ＬＥＤ的市场规模年均增长率超过２０％，高亮度ＬＥＤ增长更加迅速，预计未来普通亮度ＬＥＤ将基本保持现有市场规模，高亮度和超高亮度ＬＥＤ市场规模将是未来增长的主要部分。
据Ｓｔｒａｔｅｇｉｅｓ Ｕｎｌｉｍｉｔｅｄ预测，高亮度ＬＥＤ市场规模将会从２００８年的５１亿美元增长至２０１３年的１４９亿美元，复合年均增长率为２４％。其中照明、汽车和显示器用背光源市场将是未来五年ＬＥＤ需求的主要增长点，未来三大主流应用依次为显示、照明和车用。
３、 项目具有可靠的技术、人才保障
Ｅｐｉｓｔａｒ为晶元光电的全资子公司，在蓝光ＬＥＤ技术方面，晶元光电现在是全球少有的几家能够大规模量产蓝光ＧａＮ外延片的企业之一，也是全球少有的能够提供高亮度蓝光ＬＥＤ的公司之一。晶元光电从２００７年开始为国际大厂ＴＯＹＯＴＡ ＧＯＳＥＩ代工高质量、高亮度的蓝光晶粒，而高亮度１６００ｍｃｄ以上应用主要以ＮＢ背光源等应用为主，晶电量产技术已达１８００ｍｃｄ，２００８下半年技术则突破至２０００ｍｃｄ。目前晶元光电为国内（包括台湾）唯一蓝光晶粒亮度可达２６００ｍｃｄ厂商，在技术上领先国内其他上游晶粒厂。在蓝光高压交流ＬＥＤ芯片方面，晶元光电的高效率高压（ＨＶ）ＬＥＤ Ｃｈｉｐｓ已进入照明大厂的供应链。
合资公司在人才方面设立了管理层持股，为合资公司稳定和引入新的人才打下了良好的基础，为公司未来的可持续发展提供了有效的保障。
六、对外投资的目的、存在的风险和对本公司的影响
１、 投资目的：进入半导体光电子领域，实现集团核心技术向高端转变，主营业务向产业链中上游转变的战略目标，全面提升产业核心竞争力。
２、 项目风险分析：
（１）本项目将分期实施，产能规模将根据市场需求情况进一步扩大，因此项目总体规划及厂房设计等需留有未来发展的余地。
（２）近年来国内及台湾各大ＬＥＤ芯片厂商的产能急剧扩张，未来３～５年芯片市场有可能饱和。为此，公司在项目推进过程中需密切关注市场动态，努力保持产品的竞争力和领先性。
（３）新技术（如ＧａＮ、Ｓｉ基板）的出现可能会对现有技术构成极大的冲击和威胁。为此，公司需与Ｅｐｉｓｔａｒ合作加大科研投入以保持技术和制程的先进性。
３、 对本公司的影响：
ＬＥＤ作为新能源产业，正孕育着新的经济增长点，也是新一轮国际竞争的战略制高点，长城开发作为中国电子下属的核心企业，一直密切跟踪ＬＥＤ外延片及芯片技术的发展和市场变化。面对全球ＬＥＤ产业的蓬勃发展，本公司与Ｅｐｉｓｔａｒ、亿冠晶的合作是强强联手，相互协作，各自运用在专业技术、供应链开发、精细化生产以及市场推广等方面的优势，主要定位于国内缺乏的ＩｎＧａＮ高亮度背光芯片和照明芯片的研制、生产和销售为目标，争取在３～５年时间内，将合资公司建设成为中国电子集团拥有一定自主知识产权和核心技术的ＬＥＤ外延片、芯片至ＬＥＤ灯源，垂直整合的重要产业基地，在完善国家半导体照明（ＬＥＤ）产业链的过程中发挥积极作用。
本次投资将为公司未来持续发展打下坚实的基础，对公司未来财务状况和经营成果将产生积极的影响。
七、其他
公司将严格按照有关规定和要求及时履行持续信息披露义务。
特此公告！
深圳长城开发科技股份有限公司
董事会
二○一○年十月八日
