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我国极大规模集成电路制造工艺获突破 2014-03-26 来源:证券时报网 作者:阮润生
据科技部网站昨日消息,我国极大规模集成电路制造工艺获突破,一批65-28纳米高端设备通过量产验证,而部分实现批量采购,40纳米成套工艺成功量产。 近日,科技部曹健林副部长在“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项2014年工作务虚会上指出,专项自实施以来,我国已经在集成电路高端装备、成套工艺、关键材料、封装测试等领域取得了部分突破。除了上述制造工艺突破,光刻机整机集成及零部件技术水平也得到迅速提升,封测产业加速升级,专项成果辐射相关产业应用。 中国半导体行业协会预计,2014年国内集成电路产业销售额增幅将达到20%,规模将超过3000亿元。 东方证券研究报告建议重点关注大唐电信、长电科技等龙头公司。此外,有望填补大陆内存芯片空白的太极实业、账面现金充裕的国民技术、国产设备厂商七星电子等也值得关注。(阮润生) 本版导读:
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